CVDダイヤモンド
半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等
CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって得られるバインダーを含まない多結晶ダイヤモンドです。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
| 材質 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.～100℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.［Ｗ/(ｍ・K)］ |
|---|---|---|---|
| CVDダイヤモンド | CVD(Chemical Vapor Deposition)法による、厚み0.1～0.4mmのダイヤモンドのヒートシンクです。 | 2.3 | ＞1000 |