エレクトロニクス

スマートフォン、タブレットなどのエレクトロニクス機器等に使用される高機能FPC（フレキシブルプリント回路）の開発に取り組んでいます。回路の高密度・微細化や高周波伝送への要望に応じるため、独自の材料やプロセス技術に基づく微細回路製品を開発し、さらに、顧客製品への適用を進めています。

低摩擦係数や耐熱性/耐薬品性/耐候性等の基本特性が優れているフッ素樹脂を、特殊条件下で電子線照射架橋させ、弱点である耐摩耗性を大幅に向上し、金属基材との接着も可能にする技術を開発しています。この技術を用いてオイルポンプやスライダーにコーティングし、摺動製品の高機能市場への展開を進めています。

化合物半導体は、シリコン半導体では実現できない各種応用領域にて広く利用されています。当社はこの分野のパイオニアとして各種の材料を開発しており、より高品質、大口径の結晶成長技術や、新規デバイスの創出に向けた新材料の開発を推し進めています。

当社化合物半導体

省エネルギーをさらに進化させる次世代のパワーデバイス材料として期待されている炭化ケイ素（SiC）において、高品質、低コスト成長技術（MPZ^Ⓡ: Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technology）を用いた結晶、エピタキシャル基板の開発を推進しています。
さらに低損失、高耐圧を両立する独自構造のトランジスタ、モジュールの開発にも取組み、社内連携によるシステムへの展開も視野にその実用化を目指しています。

成長時の温度、反応プロセスを緻密に制御するMPZ®により、高品質、大口径の結晶開発に取り組んでいます。結晶から切り出し、鏡面加工した基板上に、化学気相成長（CVD）法により、単結晶（エピタキシャル）層を形成します。MPZ®を用いることで、世界トップレベルの高均一、かつ面内99%以上の領域で欠陥のないエピタキシャル基板を実現しています。製品名 「EpiEra®」として販売を開始、電子デバイス産業新聞主催の半導体・オブ・ザ・イヤー2018でグランプリ（電子材料部門）を受賞しました。
エピタキシャル基板上に、イオン注入、絶縁膜形成、電極形成などの半導体プロセスを施し、トランジスタを作製します。

安定性に優れた特殊な結晶面を活用した独自構造をもつV溝型金属-酸化膜-半導体構造トランジスタ（VMOSFET: V-groove Trench Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を開発し、高効率・高耐圧を実現しています。1チップで200A級の大電流特性を実現し、電気自動車/ハイブリッド電気自動車（EV/HEV）などへの適用による効率向上が期待されています。
さらに、国立研究開発法人産業技術総合研究所との共同研究で、SiCの理論限界に近い世界最小の低オン抵抗を有する次世代VMOSFETの開発を進めています。