Cu-Diamond
半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等
銅とダイヤモンドの複合材料です。GaAsやGaNの化合物半導体材料に近い熱膨張係数でありながらCu以上の熱伝導率を有しています。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
| 材質 | 名称 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.～400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.［Ｗ/(ｍ・K)］ |
|---|---|---|---|---|
| Cu-Diamond | DC60 | 熱膨張率を化合物半導体(GaAs,GaN)に合わせた高熱伝導ヒートシンクです。 | 6.0 | 550 |
| DC70 | 6.5 | 500 |
