AlN（窒化アルミニウム）
半導体レーザ用サブマウント、LED用基板
電気絶縁性が高く誘電率が低い材料で、表面に電気回路、チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
| 材質 | 名称・組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.～400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.［Ｗ/(ｍ・K)］ |
|---|---|---|---|---|
| AlN | AlN(200W) | 絶縁やパターン回路が必要な場合に有用です | 4.5 | ＞200 |
| AlN(170W) | 4.5 | ＞170 |
電気絶縁性が高く誘電率が低い材料で、表面に電気回路、チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
| 材質 | 名称・組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.～400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.［Ｗ/(ｍ・K)］ |
|---|---|---|---|---|
| AlN | AlN(200W) | 絶縁やパターン回路が必要な場合に有用です | 4.5 | ＞200 |
| AlN(170W) | 4.5 | ＞170 |