半導体レーザ用サブマウント、LED用基板

電気絶縁性が高く誘電率が低い材料で、表面に電気回路、チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。

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材質 名称・組成 特長 平均線膨張係数
R.T.~400℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
AlN AlN(200W) 絶縁やパターン回路が必要な場合に有用です 4.5 >200
AlN(170W) 4.5 >170

さらに詳しく!

AlN(窒化アルミニウム)については、以下Webサイトにて詳しくご紹介しております。

株式会社アライドマテリアル Webサイト