省エネルギーをさらに進化させる次世代のパワーデバイス材料として期待されている炭化ケイ素（SiC）において、高品質、低コスト成長技術（MPZ®*1）を用いた結晶、エピタキシャル基板の開発を推進しています。
さらに低損失、高耐圧を両立する独自構造のトランンジスタ、モジュールの開発にも取組み、社内連携によるシステムへの展開も視野にその実用化を目指しています

*  MPZ: Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technology

高品質SiC結晶・エピタキシャル基板

成長時の温度、反応プロセスを緻密に制御するMPZ®により、高品質、大口径の結晶開発に取り組んでいます。
結晶から切り出し、鏡面加工した基板上に、化学気相成長（CVD）法により、単結晶 (エピタキシャル) 層 を形成します。
MPZ®を用いることで、世界トップレベルの高均一、かつ面内99%以上の領域で欠陥のないエピタキシャル基板を実現しています。製品名「EpiEra®」として販売を開始、電子デバイス産業新聞主催の半導体・オブ・ザ・イヤー2018でグランプリ（電子材料部門）を受賞しました
エピタキシャル基板上に、イオン注入、絶縁膜形成、電極形成などの半導体プロセスを施し、トランジスタを作製します。