支撑5G时代的电子器件 挑战的历程与展望

近年来，移动通信实现了飞跃性的进展。1979年，汽车电话问世；80年代中期，手机问世。90年代上半期，人们开始使用电子邮件与英特网；2007年，智能手机问世，并爆发性地普及。而引领这些的就是通过无线通信的连接技术。

至今为止，移动通信技术已从第1代（1G）更迭至第4代（4G），极大地促进了手机性能的提升。时至今日，第5代，即5G（5th Generation）技术已经问世，据说它所实现的超高速通信是4G的100倍。围绕5G，人们已设想出了超越以往移动通信框架的全新服务平台以及支撑社会与生活的广泛应用方法。5G的优点在于：高速大容量、低延迟性以及大规模设备连接。通过高速大容量，可实现高清视频直播与在线居家医疗。基于其低延迟性，可极大地改变包括IoT与汽车在内的各种物联通信。例如，以远程操控的方式让时速60公里的汽车刹车时，用4G操控时的制动空走距离约为1.7米，而用5G操控时，该距离仅为几厘米。基于其可将大规模设备连接的特点，可同时连接的终端数为4G时的数十倍。2019年，美国、韩国和英国等世界19个国家开始推行5G商用服务。日本计划于2020年春季开始推行5G商用服务，如其字面意思，2020年将成为5G元年。2005年，住友电工集团在世界范围内率先向市场推出了具有极高性能的晶体管——“GaN HEMT（氮化镓晶体管）”。随着5G时代的到来，其存在感越发强烈，作为支撑5G时代的电子器件而受到世界的热切关注。本期特辑，我们将追寻为促成“GaN HEMT”诞生而进行的种种挑战的历程，同时对5G的未来发展给予展望。